Énergie et électricité Photovoltaïque au Silicium

Système d'Automatisation pour la Croissance de Lingots de Silicium et les Lignes de Traitement de Tranches

Mise à jour: 2026-01-07

Définition du Problème

Vérification Technique

Cette solution a été validée par Équipe Technique Atlamech selon les normes suivantes :

Voir les détails

Portée Technique

Normes de Conformité

Stratégie de mise en œuvre

Livrables Clés

Système d'automatisation entièrement intégré avec gestion de recettes, profilage thermique en temps réel et algorithmes d'optimisation de processus en lots

Notes de Consultation

  • Nécessite une modélisation thermique pour l'optimisation des gradients
  • Mettre en œuvre une séquence de démarrage progressif pour les éléments chauffants en graphite
  • Inclure une détection de température redondante pour les zones critiques
  • Coordonner le contrôle du vide/pression avec les cycles thermiques
  • Valider les temps de réponse de contrôle <100 ms pour les boucles thermiques

Taxonomie de l'Infrastructure

Contrôleurs PID multi-boucles
Régulateurs de puissance SCR
Modules d'entrée thermocouple/RTD
Contrôleurs de mouvement programmables
Commutateurs Ethernet industriels
Modèles d'Application Typiques: Contrôle de four de solidification directionnelle Automatisation de croissance cristalline Czochralski Régulation de four de recuit multi-zones pour tranches

Résumé des Relations d'Ingénierie

Composants Techniques Utilisés

Architecture de contrôle hiérarchique, Boucles maîtres de température/pression

Contraintes d'Ingénierie

Stabilité de température ±1°C, Plage de puissance 15-75 kW, Plage de tension 380-480 VAC triphasé

Logique d'Optimisation Centrale

Algorithmes d'optimisation de processus en lots, Profilage thermique en temps réel

Résumé des Cas de Mise en Œuvre

Résumé du projet

Système d'Automatisation pour la Croissance de Lingots de Silicium et les Lignes de Traitement de Tranches

Échelle du Système
Ligne de production avec 4 fours de croissance et 3 lignes de traitement de tranches.
Conditions d'Exploitation
Salle blanche Classe 1000, température contrôlée à ±1°C, alimentation 380-480 VAC triphasé.
Contraintes de Mise en Œuvre
Stabilité thermique critique pour la croissance cristalline, contrôle strict des particules, plage de puissance 15-75 kW.

Cluster de Connaissances Techniques

Technologie Photovoltaïque au Silicium

Ce cluster technique aborde la technologie photovoltaïque au silicium sous l'angle des normes IEC et IEEE, couvrant l'architecture des cellules, la fiabilité des modules et l'intégration réseau avec des métriques d'ingénierie spécifiques.

Architecture des cellules photovoltaïques au silicium monocristallin
Analyse des structures cristallines et des jonctions p-n pour optimiser l'efficacité de conversion (>22%) selon la norme IEC 60904.
Intégration des systèmes PV au silicium dans les réseaux électriques
Conformité aux exigences de stabilité du réseau et aux normes de raccordement (IEC 61727, IEEE 1547) pour maintenir un facteur de puissance > 0.9.
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